10月15日，莱普科技全国总部暨集成电路装备研发制造基地项目在成都高新区举行奠基仪式。
奠基仪式
莱普科技全国总部暨集成电路装备研发制造基地项目（即成都莱普科技股份有限公司总部暨生产基地建设项目）主要建设内容包括企业全国总部、技术中心、制造中心、服务中心以及核心零部件研发及产业化基地，并将同步建设中科院半导体所成都半导体材料先进激光加工技术联合实验室及培训基地、四川省全固态先进激光工程技术研究中心等项目。
该项目总投资16.6亿元，占地面积39亩，建筑面积6.5万平米，将于2023年10月开工建设，预计2025年5月前通过并联并行竣工验收，2026年5月全面达产。
项目效果图
莱普科技相关负责人表示：“项目的落地将有力推动我国半导体领域激光装备和技术的进步。在集成电路制造前道工艺创新、先进激光技术应用与系统集成、核心零部件自主可控、专业人才培养等方面产生积极作用。”
成都高新区是国内集成电路产业的重要聚集区，产业规模和水平居中西部第一，聚集相关企业170余家，初步形成了涵盖IC设计、晶圆制造、封装测试、设备材料等关键环节的相对完整产业链。
今年3月，成都高新区发布了《成都高新区集成电路建圈强链三年攻坚计划（2023-2025）》（征求意见稿），按照“补制造、强设计、扩封测、延链条”的总体思路，以模拟芯片为核心，以算力芯片、存储芯片及功率器件为重点，构建规模大、技术强、要素全的集成电路全产业链，加快“中国存储谷”建设。力争到2025年，实现集成电路产业规模突破1700亿元。
成都高新区相关负责人表示，将深入贯彻落实习近平总书记关于推进新型工业化和制造强国重要指示精神，助力实施制造强省、制造强市战略，持续推动集成电路产业数字化转型升级，着力推动半导体设备等“卡脖子”环节的关键技术研发，力争构建新型工业化环境下协同发展、自主可控的集成电路产业生态。
文字：黄启恒
受访部门供图
编辑：袁也然
